一种提取GaN功率HEMT器件热阻抗的方法
作者： 海军驻上海地区航天系统军事代表室; 上海200090; 中国电子科技集团公司第十三研究所; 石家庄050051
摘要：提出了一种提取GaN功率HEMT器件热阻抗的新方法。该方法对热阻抗自身的功耗非线性特性进行了考虑,克服了传统功率器件热阻抗提取方法,通常只能获得热阻抗实部(直流热电阻特性),不能提取热阻抗虚部(交流热电容特性),以及难以确定热阻抗自身随功耗变化特性等的缺陷,该方法在河北半导体研究所0.25μm AlGaN/GaN HEMT工艺中得到验证。
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