《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》杂志的收稿范围和要求是什么？
来源：优发表网整理 2024-09-18 11:09:39 402人看过
《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》杂志收稿范围涵盖工程技术全领域，此刊是该细分领域中属于非常不错的SCI期刊，在行业细分领域中学术影响力较大，专业度认可很高，所以对原创文章要求创新性较高，如果您的文章质量很高，可以尝试。
平均审稿速度 9 Weeks ，影响因子指数2。
该期刊近期没有被列入国际期刊预警名单，广大学者值得一试。
具体收稿要求需联系杂志社或者咨询本站客服，在线客服团队会及时为您答疑解惑，提供针对性的建议和解决方案。
出版商联系方式：445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141
其他数据
| 是否OA开放访问： |
h-index： |
年文章数： |
| 开放 |
23 |
92 |
| Gold OA文章占比： |
2021-2022最新影响因子（数据来源于搜索引擎）: |
开源占比（OA被引用占比）： |
| 97.60% |
2 |
0.97...
|
| 研究类文章占比：文章 ÷（文章 + 综述） |
期刊收录： |
中科院《国际期刊预警名单（试行）》名单： |
| 98.91% |
SCIE |
否 |
历年IF值(影响因子)：
历年引文指标和发文量：
历年中科院JCR大类分区数据：
历年自引数据：
发文统计
2023-2024国家/地区发文量统计：
| 国家/地区 |
数量 |
| CHINA MAINLAND |
168 |
| USA |
99 |
| Taiwan |
98 |
| South Korea |
74 |
| Japan |
61 |
| India |
40 |
| France |
29 |
| GERMANY (FED REP GER) |
27 |
| Switzerland |
23 |
| Belgium |
20 |
2023-2024机构发文量统计：
| 机构 |
数量 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... |
35 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... |
22 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES |
20 |
| ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE ... |
18 |
| NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY |
17 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE... |
17 |
| NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY |
15 |
| SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) |
15 |
| SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNO... |
15 |
| PEKING UNIVERSITY |
14 |
近年引用统计：
| 期刊名称 |
数量 |
| IEEE T ELECTRON DEV |
499 |
| IEEE ELECTR DEVICE L |
445 |
| APPL PHYS LETT |
311 |
| J APPL PHYS |
180 |
| SOLID STATE ELECTRON |
105 |
| IEEE J ELECTRON DEVI |
75 |
| JPN J APPL PHYS |
73 |
| NANO LETT |
64 |
| IEEE J SOLID-ST CIRC |
58 |
| NATURE |
53 |
近年被引用统计：
| 期刊名称 |
数量 |
| IEEE T ELECTRON DEV |
140 |
| IEEE J ELECTRON DEVI |
75 |
| IEEE ELECTR DEVICE L |
59 |
| SEMICOND SCI TECH |
36 |
| IEEE ACCESS |
29 |
| JPN J APPL PHYS |
27 |
| SOLID STATE ELECTRON |
22 |
| APPL PHYS LETT |
20 |
| MICROMACHINES-BASEL |
20 |
| J APPL PHYS |
18 |
近年文章引用统计：
| 文章名称 |
数量 |
| FinFET Versus Gate-All-Around Na... |
21 |
| Characterization and Compact Mod... |
19 |
| Characterization and Modeling of... |
14 |
| Cryogenic Temperature Characteri... |
11 |
| Hysteresis Reduction in Negative... |
11 |
| Tunneling Transistors Based on M... |
11 |
| Direct Correlation of Ferroelect... |
10 |
| Ferroelectric HfO2 Tunnel Juncti... |
10 |
| Development and Fabrication of A... |
10 |
| Experimental Investigations of S... |
10 |
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