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Ieee Journal Of The Electron Devices Society SCIE

Ieee Journal Of The Electron Devices Society

  • ISSN:2168-6734
  • ESSN:2168-6734
  • 国际标准简称:IEEE J ELECTRON DEVI
  • 出版地区:UNITED STATES
  • 出版周期:1 issue/year
  • 研究方向:Biochemistry, Genetics and Molecular Biology - Biotechnology
  • 出版年份:2013
  • 语言:English
  • 是否OA:开放
  • 学科领域

    工程技术
  • 中科院分区

    3区
  • JCR分区

    Q3
  • IF影响因子

    2
  • 是否预警

期刊简介

Journal Title:Ieee Journal Of The Electron Devices Society

The IEEE Journal of the Electron Devices Society (J-EDS) is an open-access, fully electronic scientific journal publishing papers ranging from fundamental to applied research that are scientifically rigorous and relevant to electron devices. The J-EDS publishes original and significant contributions relating to the theory, modelling, design, performance, and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanodevices, optoelectronics, photovoltaics, power IC's, and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are, also, published. And, occasionally special issues with a collection of papers on particular areas in more depth and breadth are, also, published. J-EDS publishes all papers that are judged to be technically valid and original.

中文简介

《IEEE 电子设备学会杂志》(J-EDS)是一本开放获取的全电子科学期刊,出版从基础研究到应用研究的论文,这些论文科学严谨,与电子设备相关。J-EDS 发表与电子和离子集成电路设备和互连的理论、建模、设计、性能和可靠性有关的原创和重要贡献,涉及绝缘体、金属、有机材料、微等离子体、半导体、量子效应结构、真空设备和新兴材料,应用于生物电子学、生物医学电子学、计算、通信、显示器、微机电、成像、微致动器、纳米设备、光电子学、光伏、电源 IC 和微传感器。还出版了有关这些主题的教程和评论论文。有时,还会出版特别版,其中包含有关特定领域的更深入和更广泛的论文集。J-EDS 出版所有被判定为技术上有效和原创的论文。

期刊点评

Ieee Journal Of The Electron Devices Society创刊于2013年,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版,收稿方向涵盖Biochemistry, Genetics and Molecular Biology - Biotechnology全领域,此刊是中等级别的SCI期刊,所以过审相对来讲不是特别难,但是该刊专业认可度不错,仍然是一本值得选择的SCI期刊 。平均审稿速度 9 Weeks ,影响因子指数2,该期刊近期没有被列入国际期刊预警名单,广大学者值得一试。

中科院分区(数据版本:2023年12月升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 4区

名词解释:
中科院分区也叫中科院JCR分区,基础版分为13个大类学科,然后按照各类期刊影响因子分别将每个类别分为四个区,影响因子5%为1区,6%-20%为2区,21%-50%为3区,其余为4区。

中科院分区(数据版本:2022年12月升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 3区

中科院分区(数据版本:2021年12月旧的升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 3区

中科院分区(数据版本:2021年12月基础版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 4区

中科院分区(数据版本:2021年12月升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 3区

中科院分区(数据版本:2020年12月旧的升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 3区

WOS分区(数据版本:2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 202 / 352

42.8%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 179 / 354

49.58%

名词解释:
WOS即Web of Science,是全球获取学术信息的重要数据库,Web of Science包括自然科学、社会科学、艺术与人文领域的信息,来自全世界近9,000种最负盛名的高影响力研究期刊及12,000多种学术会议多学科内容。给期刊分区时会按照某一个学科领域划分,根据这一学科所有按照影响因子数值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影响因子值高的就会在高分区中,最后的划分结果分别是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表质量最高。

CiteScore分区(数据版本:2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore排名
5.2 0.505 0.955
学科 分区 排名 百分位
大类:Materials Science 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 90 / 284

68%

大类:Materials Science 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 253 / 797

68%

大类:Materials Science 小类:Biotechnology Q2 139 / 311

55%

名词解释:
CiteScore:衡量期刊所发表文献的平均受引用次数。
SJR:SCImago 期刊等级衡量经过加权后的期刊受引用次数。引用次数的加权值由施引期刊的学科领域和声望 (SJR) 决定。
SNIP:每篇文章中来源出版物的标准化影响将实际受引用情况对照期刊所属学科领域中预期的受引用情况进行衡量。

其他数据

是否OA开放访问: h-index: 年文章数:
开放 23 92
Gold OA文章占比: 2021-2022最新影响因子(数据来源于搜索引擎): 开源占比(OA被引用占比):
97.60% 2 0.97...
研究类文章占比:文章 ÷(文章 + 综述) 期刊收录: 中科院《国际期刊预警名单(试行)》名单:
98.91% SCIE

历年IF值(影响因子):

历年引文指标和发文量:

历年中科院JCR大类分区数据:

历年自引数据:

发文统计

2023-2024国家/地区发文量统计:

国家/地区 数量
CHINA MAINLAND 168
USA 99
Taiwan 98
South Korea 74
Japan 61
India 40
France 29
GERMANY (FED REP GER) 27
Switzerland 23
Belgium 20

2023-2024机构发文量统计:

机构 数量
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... 35
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... 22
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 20
ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE ... 18
NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY 17
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE... 17
NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY 15
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) 15
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNO... 15
PEKING UNIVERSITY 14

近年引用统计:

期刊名称 数量
IEEE T ELECTRON DEV 499
IEEE ELECTR DEVICE L 445
APPL PHYS LETT 311
J APPL PHYS 180
SOLID STATE ELECTRON 105
IEEE J ELECTRON DEVI 75
JPN J APPL PHYS 73
NANO LETT 64
IEEE J SOLID-ST CIRC 58
NATURE 53

近年被引用统计:

期刊名称 数量
IEEE T ELECTRON DEV 140
IEEE J ELECTRON DEVI 75
IEEE ELECTR DEVICE L 59
SEMICOND SCI TECH 36
IEEE ACCESS 29
JPN J APPL PHYS 27
SOLID STATE ELECTRON 22
APPL PHYS LETT 20
MICROMACHINES-BASEL 20
J APPL PHYS 18

近年文章引用统计:

文章名称 数量
FinFET Versus Gate-All-Around Na... 21
Characterization and Compact Mod... 19
Characterization and Modeling of... 14
Cryogenic Temperature Characteri... 11
Hysteresis Reduction in Negative... 11
Tunneling Transistors Based on M... 11
Direct Correlation of Ferroelect... 10
Ferroelectric HfO2 Tunnel Juncti... 10
Development and Fabrication of A... 10
Experimental Investigations of S... 10

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