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Iet Circuits Devices & Systems SCIE

Iet Circuits Devices & Systems

  • ISSN:1751-858X
  • ESSN:1751-8598
  • 国际标准简称:IET CIRC DEVICE SYST
  • 出版地区:ENGLAND
  • 出版周期:Bi-monthly
  • 研究方向:工程技术 - 工程:电子与电气
  • 出版年份:2007
  • 语言:English
  • 是否OA:开放
  • 学科领域

    工程技术
  • 中科院分区

    4区
  • JCR分区

    Q4
  • IF影响因子

    1
  • 是否预警

期刊简介

Journal Title:Iet Circuits Devices & Systems

IET Circuits, Devices & Systems covers the following topics:

Circuit theory and design, circuit analysis and simulation, computer aided design

Filters (analogue and switched capacitor)

Circuit implementations, cells and architectures for integration including VLSI

Testability, fault tolerant design, minimisation of circuits and CAD for VLSI

Novel or improved electronic devices for both traditional and emerging technologies including nanoelectronics and MEMs

Device and process characterisation, device parameter extraction schemes

Mathematics of circuits and systems theory

Test and measurement techniques involving electronic circuits, circuits for industrial applications, sensors and transducers

中文简介

IET 电路、器件与系统涵盖以下主题:

电路理论与设计、电路分析与仿真、计算机辅助设计

滤波器(模拟和开关电容器)

电路实现、单元和集成架构(包括 VLSI)

可测试性、容错设计、电路最小化和 VLSI 的 CAD

用于传统和新兴技术(包括纳米电子学和 MEM)的新型或改进电子设备

器件和工艺特性、器件参数提取方案

电路和系统理论的数学

涉及电子电路、工业应用电路、传感器和换能器的测试和测量技术

期刊点评

Iet Circuits Devices & Systems创刊于2007年,由Wiley出版商出版,收稿方向涵盖工程技术 - 工程:电子与电气全领域,此期刊水平偏中等偏靠后,在所属细分领域中专业影响力一般,过审相对较易,如果您文章质量佳,选择此期刊,发表机率较高。平均审稿速度 较慢,6-12周 ,影响因子指数1,该期刊近期没有被列入国际期刊预警名单,广大学者值得一试。

中科院分区(数据版本:2023年12月升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 4区

名词解释:
中科院分区也叫中科院JCR分区,基础版分为13个大类学科,然后按照各类期刊影响因子分别将每个类别分为四个区,影响因子5%为1区,6%-20%为2区,21%-50%为3区,其余为4区。

中科院分区(数据版本:2022年12月升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 4区

中科院分区(数据版本:2021年12月旧的升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 4区

中科院分区(数据版本:2021年12月基础版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 4区

中科院分区(数据版本:2021年12月升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 4区

中科院分区(数据版本:2020年12月旧的升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 4区

WOS分区(数据版本:2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 285 / 352

19.2%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 287 / 354

19.07%

名词解释:
WOS即Web of Science,是全球获取学术信息的重要数据库,Web of Science包括自然科学、社会科学、艺术与人文领域的信息,来自全世界近9,000种最负盛名的高影响力研究期刊及12,000多种学术会议多学科内容。给期刊分区时会按照某一个学科领域划分,根据这一学科所有按照影响因子数值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影响因子值高的就会在高分区中,最后的划分结果分别是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表质量最高。

CiteScore分区(数据版本:2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore排名
3.8 0.289 0.595
学科 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Control and Systems Engineering Q2 137 / 321

57%

大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 350 / 797

56%

名词解释:
CiteScore:衡量期刊所发表文献的平均受引用次数。
SJR:SCImago 期刊等级衡量经过加权后的期刊受引用次数。引用次数的加权值由施引期刊的学科领域和声望 (SJR) 决定。
SNIP:每篇文章中来源出版物的标准化影响将实际受引用情况对照期刊所属学科领域中预期的受引用情况进行衡量。

其他数据

是否OA开放访问: h-index: 年文章数:
开放 45 26
Gold OA文章占比: 2021-2022最新影响因子(数据来源于搜索引擎): 开源占比(OA被引用占比):
69.13% 1 0.27...
研究类文章占比:文章 ÷(文章 + 综述) 期刊收录: 中科院《国际期刊预警名单(试行)》名单:
96.15% SCIE

历年IF值(影响因子):

历年引文指标和发文量:

历年中科院JCR大类分区数据:

历年自引数据:

发文统计

2023-2024国家/地区发文量统计:

国家/地区 数量
India 169
CHINA MAINLAND 68
Iran 53
USA 35
Canada 22
Taiwan 21
South Korea 17
Turkey 14
Egypt 9
France 9

2023-2024机构发文量统计:

机构 数量
NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY... 47
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... 37
ISLAMIC AZAD UNIVERSITY 17
JADAVPUR UNIVERSITY 11
XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY 10
SHAHID BAHONAR UNIVERSITY OF KER... 8
BIRLA INSTITUTE OF TECHNOLOGY & ... 6
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... 6
ANNA UNIVERSITY 5
BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 5

近年引用统计:

期刊名称 数量
IEEE J SOLID-ST CIRC 200
IEEE T ELECTRON DEV 184
IEEE T CIRCUITS-I 142
IEEE T CIRCUITS-II 98
ELECTRON LETT 92
IEEE T POWER ELECTR 83
IET CIRC DEVICE SYST 83
IEEE T VLSI SYST 82
IEEE T COMPUT AID D 53
IEEE T MICROW THEORY 52

近年被引用统计:

期刊名称 数量
IET CIRC DEVICE SYST 83
IEEE ACCESS 43
J CIRCUIT SYST COMP 35
MICROELECTRON J 34
AEU-INT J ELECTRON C 29
ANALOG INTEGR CIRC S 22
CIRC SYST SIGNAL PR 21
ELECTRONICS-SWITZ 17
IEEE T ELECTRON DEV 13
IEICE ELECTRON EXPR 11

近年文章引用统计:

文章名称 数量
Novel CNFET ternary circuit tech... 10
Novel CMOS MO-CFDITA based fully... 7
Efficient designs of reversible ... 7
Efficient design of coplanar rip... 7
Widely tunable low-pass g(m) - C... 6
Tuning approach for first-order ... 6
Transmission gate-based 9T SRAM ... 6
Fault-tolerant delay cell for ri... 5
Light activation of noise at mic... 5
Analytical modelling and paramet... 5

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