Journal Title:Journal Of Semiconductor Technology And Science
Journal of Semiconductor Technology and Science is published to provide a forum for R&D people involved in every aspect of the integrated circuit technology, i.e., VLSI fabrication process technology, VLSI device technology, VLSI circuit design and other novel applications of this mass production technology. When IC was invented, these people worked together in one place. However, as the field of IC expanded, our individual knowledge became narrower, creating different branches in the technical society, which has made it more difficult to communicate as a whole. The fisherman, however, always knows that he can capture more fish at the border where warm and cold-water meet. Thus, we decided to go backwards gathering people involved in all VLSI technology in one place.
《半导体技术与科学杂志》的出版旨在为参与集成电路技术各个方面的研发人员提供一个论坛,即 VLSI 制造工艺技术、VLSI 设备技术、VLSI 电路设计以及这种大规模生产技术的其他新应用。当 IC 被发明时,这些人在一个地方一起工作。然而,随着 IC 领域的扩大,我们的个人知识变得越来越狭窄,在技术社会中产生了不同的分支,这使得整体交流变得更加困难。然而,渔夫总是知道他可以在暖水和冷水交汇的边界捕获更多的鱼。因此,我们决定倒退,将所有参与 VLSI 技术的人员聚集在一个地方。
Journal Of Semiconductor Technology And Science创刊于2001年,由Institute of Electronics Engineers of Korea出版商出版,收稿方向涵盖ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC - PHYSICS, APPLIED全领域,此期刊水平偏中等偏靠后,在所属细分领域中专业影响力一般,过审相对较易,如果您文章质量佳,选择此期刊,发表机率较高。平均审稿速度 较慢,6-12周 ,影响因子指数0.5,该期刊近期没有被列入国际期刊预警名单,广大学者值得一试。
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
名词解释:
中科院分区也叫中科院JCR分区,基础版分为13个大类学科,然后按照各类期刊影响因子分别将每个类别分为四个区,影响因子5%为1区,6%-20%为2区,21%-50%为3区,其余为4区。
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 329 / 352 |
6.7% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 175 / 179 |
2.5% |
按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 342 / 354 |
3.53% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 176 / 179 |
1.96% |
名词解释:
WOS即Web of Science,是全球获取学术信息的重要数据库,Web of Science包括自然科学、社会科学、艺术与人文领域的信息,来自全世界近9,000种最负盛名的高影响力研究期刊及12,000多种学术会议多学科内容。给期刊分区时会按照某一个学科领域划分,根据这一学科所有按照影响因子数值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影响因子值高的就会在高分区中,最后的划分结果分别是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表质量最高。
CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||
0.9 | 0.181 | 0.216 |
|
名词解释:
CiteScore:衡量期刊所发表文献的平均受引用次数。
SJR:SCImago 期刊等级衡量经过加权后的期刊受引用次数。引用次数的加权值由施引期刊的学科领域和声望 (SJR) 决定。
SNIP:每篇文章中来源出版物的标准化影响将实际受引用情况对照期刊所属学科领域中预期的受引用情况进行衡量。
是否OA开放访问: | h-index: | 年文章数: |
未开放 | 15 | 37 |
Gold OA文章占比: | 2021-2022最新影响因子(数据来源于搜索引擎): | 开源占比(OA被引用占比): |
0.00% | 0.5 | 0 |
研究类文章占比:文章 ÷(文章 + 综述) | 期刊收录: | 中科院《国际期刊预警名单(试行)》名单: |
97.30% | SCIE | 否 |
历年IF值(影响因子):
历年引文指标和发文量:
历年中科院JCR大类分区数据:
历年自引数据:
2023-2024国家/地区发文量统计:
国家/地区 | 数量 |
South Korea | 220 |
CHINA MAINLAND | 14 |
USA | 8 |
India | 5 |
Japan | 3 |
Taiwan | 3 |
Vietnam | 3 |
England | 1 |
Indonesia | 1 |
Iran | 1 |
2023-2024机构发文量统计:
机构 | 数量 |
HANYANG UNIVERSITY | 24 |
HONGIK UNIVERSITY | 21 |
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) | 17 |
KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIE... | 15 |
CHUNGNAM NATIONAL UNIVERSITY | 14 |
KWANGWOON UNIVERSITY | 14 |
SAMSUNG | 14 |
EWHA WOMANS UNIVERSITY | 12 |
SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKKU) | 12 |
SOGANG UNIVERSITY | 10 |
近年引用统计:
期刊名称 | 数量 |
IEEE J SOLID-ST CIRC | 114 |
IEEE T ELECTRON DEV | 63 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 45 |
IEEE T CIRCUITS-I | 45 |
APPL PHYS LETT | 43 |
PHYS REV B | 33 |
J APPL PHYS | 30 |
IEEE T CIRCUITS-II | 29 |
J SEMICOND TECH SCI | 26 |
IEEE T VLSI SYST | 16 |
近年被引用统计:
期刊名称 | 数量 |
J SEMICOND TECH SCI | 26 |
J NANOSCI NANOTECHNO | 24 |
MICROMACHINES-BASEL | 17 |
IEEE ACCESS | 13 |
ELECTRONICS-SWITZ | 8 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 8 |
MATER RES EXPRESS | 7 |
IEEE J ELECTRON DEVI | 6 |
IEEE T ELECTRON DEV | 6 |
JPN J APPL PHYS | 6 |
近年文章引用统计:
文章名称 | 数量 |
A 4-Channel 8-Gb/s/ch VCSEL Driv... | 4 |
A Watt-level Broadband Power Amp... | 4 |
A 3-Gb/s Equalizer with an Adapt... | 4 |
Gallium Nitride PIN Avalanche Ph... | 3 |
Processing and Characterization ... | 3 |
Investigation on Phase-change Sy... | 3 |
Properties of Resistive Switchin... | 3 |
Xenon Flash Lamp Annealing on a-... | 3 |
Recessed AlGaN/GaN UV Phototrans... | 2 |
Investigation of Wafer Warpage I... | 2 |
同小类学科的其他优质期刊 | 影响因子 | 中科院分区 |
International Journal Of Ventilation | 1.1 | 4区 |
Journal Of Energy Storage | 8.9 | 2区 |
Journal Of Environmental Chemical Engineering | 7.4 | 2区 |
Complexity | 1.7 | 4区 |
Chemical Engineering Journal | 13.3 | 1区 |
International Journal Of Hydrogen Energy | 8.1 | 2区 |
Electronics | 2.6 | 3区 |
Aerospace | 2.1 | 3区 |
Buildings | 3.1 | 3区 |
Shock Waves | 1.7 | 4区 |
若用户需要出版服务,请联系出版商:RM #907 SCIENCE & TECHNOLOGY NEW BLDG, 635-4 YUCKSAM-DONG, SEOUL, SOUTH KOREA, KANGNAM-KU, 135-703。