发表《Progress In Crystal Growth And Characterization Of Materials》杂志多久能被SCI数据库收录?

来源:优发表网整理 2024-09-18 11:04:13 820人看过

通常情况下,《Progress In Crystal Growth And Characterization Of Materials》杂志发表的文章被SCIE数据库收录的时间没有固定标准,若想了解详细、准确的具体情况,建议直接与杂志社取得联系或者向在线客服进行咨询。

多久能被SCI数据库一般可以归纳出以下情况:

论文发表后到在线时间:SCI论文发表后,一般需要大约3个月的时间才能在期刊官网上线,这是论文初次对外公开的时间点。

在线后到数据库检索时间:论文在线后,通常还需要1-3个月的时间才能在Web of Science(WOS)数据库中检索到,这个过程被称为论文的索引或收录。

整体时间周期:从投稿到论文被SCI数据库收录,整个周期大概需要一年左右的时间。具体来说,投稿后可能需要5-6个月收到接收通知,然后经过2-3个月论文会在官网上线,再之后2-3个月论文会被WOS数据库收录。

然而,这个时间周期并不是绝对的,它受到多种因素的影响,如:期刊类型、论文质量、数据库更新等。

《Progress In Crystal Growth And Characterization Of Materials》杂志已被SCIE国际知名数据库收录,在JCR分区中位于CRYSTALLOGRAPHY学科Q1区MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING学科Q1区,在CiteScore评价中位于Physics and Astronomy学科的Q1区Physics and Astronomy学科的Q1区具有较高的学术影响力,在该领域受到广泛认可。

WOS分区(数据版本:2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q1 4 / 33

89.4%

学科:MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING SCIE Q1 3 / 38

93.4%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q2 13 / 33

62.12%

学科:MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING SCIE Q2 13 / 38

67.11%

名词解释:
WOS即Web of Science,是全球获取学术信息的重要数据库,Web of Science包括自然科学、社会科学、艺术与人文领域的信息,来自全世界近9,000种最负盛名的高影响力研究期刊及12,000多种学术会议多学科内容。给期刊分区时会按照某一个学科领域划分,根据这一学科所有按照影响因子数值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影响因子值高的就会在高分区中,最后的划分结果分别是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表质量最高。

CiteScore分区(数据版本:2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore排名
8.8 0.812 1.53
学科 分区 排名 百分位
大类:Physics and Astronomy 小类:Condensed Matter Physics Q1 48 / 434

89%

大类:Physics and Astronomy 小类:General Materials Science Q1 84 / 463

81%

名词解释:
CiteScore:衡量期刊所发表文献的平均受引用次数。
SJR:SCImago 期刊等级衡量经过加权后的期刊受引用次数。引用次数的加权值由施引期刊的学科领域和声望 (SJR) 决定。
SNIP:每篇文章中来源出版物的标准化影响将实际受引用情况对照期刊所属学科领域中预期的受引用情况进行衡量。

作为一本专注于工程技术 - 材料科学:表征与测试领域的学术期刊,它致力于发表高质量的研究论文和综述为相关领域的研究人员提供重要的学术资源。

该杂志出版周期是Quarterly,平均审稿速度预计为: 12周,或约稿 。

材料,尤其是晶体材料,为现代技术驱动的世界奠定了基础。材料的主导地位是通过详细的科学研究实现的。

当今许多先进技术的根源在于生长和评估各种材料越来越完美的晶体的技术进步。晶体材料的演变和发展涉及学术界和工业界的专职科学家的研究,涉及生物学、化学、物理学、材料科学和工程学等广泛学科领域。信息技术、光子学、能量存储和收集、环境保护、医药和食品生产中至关重要的应用需要对晶体生长有深入的了解和控制。这可能涉及从块体到纳米级的合适生长方法和材料特性。

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