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Microelectronics Reliability SCIE

Microelectronics Reliability

  • ISSN:0026-2714
  • ESSN:1872-941X
  • 国际标准简称:MICROELECTRON RELIAB
  • 出版地区:ENGLAND
  • 出版周期:Monthly
  • 研究方向:工程技术 - 工程:电子与电气
  • 出版年份:1964
  • 语言:English
  • 是否OA:未开放
  • 学科领域

    工程技术
  • 中科院分区

    4区
  • JCR分区

    Q3
  • IF影响因子

    1.6
  • 是否预警

期刊简介

Journal Title:Microelectronics Reliability

Microelectronics Reliability, is dedicated to disseminating the latest research results and related information on the reliability of microelectronic devices, circuits and systems, from materials, process and manufacturing, to design, testing and operation. The coverage of the journal includes the following topics: measurement, understanding and analysis; evaluation and prediction; modelling and simulation; methodologies and mitigation. Papers which combine reliability with other important areas of microelectronics engineering, such as design, fabrication, integration, testing, and field operation will also be welcome, and practical papers reporting case studies in the field and specific application domains are particularly encouraged.

Most accepted papers will be published as Research Papers, describing significant advances and completed work. Papers reviewing important developing topics of general interest may be accepted for publication as Review Papers. Urgent communications of a more preliminary nature and short reports on completed practical work of current interest may be considered for publication as Research Notes. All contributions are subject to peer review by leading experts in the field.

中文简介

《微电子可靠性》致力于传播微电子设备、电路和系统可靠性的最新研究成果和相关信息,涵盖材料、工艺和制造、设计、测试和操作等各个方面。该期刊涵盖以下主题:测量、理解和分析;评估和预测;建模和仿真;方法和缓解。将可靠性与微电子工程其他重要领域(如设计、制造、集成、测试和现场操作)相结合的论文也将受到欢迎,并且特别鼓励报告该领域和特定应用领域案例研究的实践论文。

大多数被接受的论文将以研究论文的形式发表,描述重大进展和已完成的工作。回顾普遍感兴趣的重要发展主题的论文可能会被接受作为评论论文发表。更初步的紧急通讯和关于当前感兴趣的已完成实践工作的简短报告可能会被考虑作为研究笔记发表。所有投稿均需经过该领域顶尖专家的同行评审。

期刊点评

Microelectronics Reliability创刊于1964年,由Elsevier Ltd出版商出版,收稿方向涵盖工程技术 - 工程:电子与电气全领域,此期刊水平偏中等偏靠后,在所属细分领域中专业影响力一般,过审相对较易,如果您文章质量佳,选择此期刊,发表机率较高。平均审稿速度 较快,2-4周 约8.3周,影响因子指数1.6,该期刊近期没有被列入国际期刊预警名单,广大学者值得一试。

中科院分区(数据版本:2023年12月升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区

名词解释:
中科院分区也叫中科院JCR分区,基础版分为13个大类学科,然后按照各类期刊影响因子分别将每个类别分为四个区,影响因子5%为1区,6%-20%为2区,21%-50%为3区,其余为4区。

中科院分区(数据版本:2022年12月升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区

中科院分区(数据版本:2021年12月旧的升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区

中科院分区(数据版本:2021年12月基础版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区

中科院分区(数据版本:2021年12月升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区

中科院分区(数据版本:2020年12月旧的升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区

WOS分区(数据版本:2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 239 / 352

32.2%

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 113 / 140

19.6%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 131 / 179

27.1%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 272 / 354

23.31%

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 114 / 140

18.93%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 140 / 179

22.07%

名词解释:
WOS即Web of Science,是全球获取学术信息的重要数据库,Web of Science包括自然科学、社会科学、艺术与人文领域的信息,来自全世界近9,000种最负盛名的高影响力研究期刊及12,000多种学术会议多学科内容。给期刊分区时会按照某一个学科领域划分,根据这一学科所有按照影响因子数值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影响因子值高的就会在高分区中,最后的划分结果分别是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表质量最高。

CiteScore分区(数据版本:2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore排名
3.3 0.394 0.801
学科 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 83 / 207

60%

大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 395 / 797

50%

大类:Engineering 小类:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q3 118 / 224

47%

大类:Engineering 小类:Condensed Matter Physics Q3 230 / 434

47%

大类:Engineering 小类:Surfaces, Coatings and Films Q3 74 / 132

44%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 161 / 284

43%

名词解释:
CiteScore:衡量期刊所发表文献的平均受引用次数。
SJR:SCImago 期刊等级衡量经过加权后的期刊受引用次数。引用次数的加权值由施引期刊的学科领域和声望 (SJR) 决定。
SNIP:每篇文章中来源出版物的标准化影响将实际受引用情况对照期刊所属学科领域中预期的受引用情况进行衡量。

其他数据

是否OA开放访问: h-index: 年文章数:
未开放 80 310
Gold OA文章占比: 2021-2022最新影响因子(数据来源于搜索引擎): 开源占比(OA被引用占比):
14.36% 1.6 0.06...
研究类文章占比:文章 ÷(文章 + 综述) 期刊收录: 中科院《国际期刊预警名单(试行)》名单:
98.39% SCIE

历年IF值(影响因子):

历年引文指标和发文量:

历年中科院JCR大类分区数据:

历年自引数据:

发文统计

近年引用统计:

期刊名称 数量
MICROELECTRON RELIAB 512
IEEE T NUCL SCI 360
IEEE T ELECTRON DEV 270
J APPL PHYS 142
APPL PHYS LETT 135
IEEE T POWER ELECTR 120
IEEE ELECTR DEVICE L 101
IEEE T COMP PACK MAN 98
J ELECTRON MATER 93
IEEE T DEVICE MAT RE 88

近年被引用统计:

期刊名称 数量
MICROELECTRON RELIAB 512
IEEE T ELECTRON DEV 235
J MATER SCI-MATER EL 205
IEEE ACCESS 197
IEEE T COMP PACK MAN 120
IEEE T POWER ELECTR 120
J ELECTRON MATER 103
J ALLOY COMPD 101
IEEE T DEVICE MAT RE 100
ENERGIES 87

近年文章引用统计:

文章名称 数量
Comphy - A compact-physics frame... 25
An improved unscented particle f... 25
Threshold voltage peculiarities ... 21
Identification of oxide defects ... 16
Controversial issues in negative... 13
An Android mutation malware dete... 13
A review of NBTI mechanisms and ... 12
New dynamic electro-thermo-optic... 12
Measurement considerations for e... 11
Border traps and bias-temperatur... 10

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International Journal Of Hydrogen Energy 8.1 2区
Aerospace 2.1 3区
Electronics 2.6 3区
Shock Waves 1.7 4区
Buildings 3.1 3区

免责声明

若用户需要出版服务,请联系出版商:PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB。