Journal Title:Microelectronics Journal
Published since 1969, the Microelectronics Journal is an international forum for the dissemination of research and applications of microelectronic systems, circuits, and emerging technologies. Papers published in the Microelectronics Journal have undergone peer review to ensure originality, relevance, and timeliness. The journal thus provides a worldwide, regular, and comprehensive update on microelectronic circuits and systems.
The Microelectronics Journal invites papers describing significant research and applications in all of the areas listed below. Comprehensive review/survey papers covering recent developments will also be considered. The Microelectronics Journal covers circuits and systems. This topic includes but is not limited to: Analog, digital, mixed, and RF circuits and related design methodologies; Logic, architectural, and system level synthesis; Testing, design for testability, built-in self-test; Area, power, and thermal analysis and design; Mixed-domain simulation and design; Embedded systems; Non-von Neumann computing and related technologies and circuits; Design and test of high complexity systems integration; SoC, NoC, SIP, and NIP design and test; 3-D integration design and analysis; Emerging device technologies and circuits, such as FinFETs, SETs, spintronics, SFQ, MTJ, etc.
Application aspects such as signal and image processing including circuits for cryptography, sensors, and actuators including sensor networks, reliability and quality issues, and economic models are also welcome.
《微电子学杂志》自 1969 年创刊以来,是一个传播微电子系统、电路和新兴技术研究和应用的国际论坛。《微电子学杂志》上发表的论文都经过同行评审,以确保其原创性、相关性和时效性。因此,该杂志提供了有关微电子电路和系统的全球定期全面更新。
《微电子学杂志》诚邀撰写描述以下所有领域重要研究和应用的论文。涵盖最新发展的综合评论/调查论文也将予以考虑。《微电子学杂志》涵盖电路和系统。该主题包括但不限于:模拟、数字、混合和射频电路及相关设计方法;逻辑、架构和系统级综合;测试、可测试性设计、内置自测试;面积、功率和热分析与设计;混合域仿真与设计;嵌入式系统;非冯诺依曼计算及相关技术和电路;高复杂度系统集成的设计和测试; SoC、NoC、SIP 和 NIP 设计和测试;3-D 集成设计和分析;新兴器件技术和电路,如 FinFET、SET、自旋电子学、SFQ、MTJ 等。
也欢迎应用方面,例如信号和图像处理(包括密码电路)、传感器和执行器(包括传感器网络)、可靠性和质量问题以及经济模型。
Microelectronics Journal创刊于1967年,由Elsevier出版商出版,收稿方向涵盖工程技术 - 工程:电子与电气全领域,此刊是中等级别的SCI期刊,所以过审相对来讲不是特别难,但是该刊专业认可度不错,仍然是一本值得选择的SCI期刊 。平均审稿速度 约3.0个月 ,影响因子指数1.9,该期刊近期没有被列入国际期刊预警名单,广大学者值得一试。
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 | 3区 4区 | 否 | 否 |
名词解释:
中科院分区也叫中科院JCR分区,基础版分为13个大类学科,然后按照各类期刊影响因子分别将每个类别分为四个区,影响因子5%为1区,6%-20%为2区,21%-50%为3区,其余为4区。
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 | 3区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 | 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 | 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 | 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 | 4区 4区 | 否 | 否 |
按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 211 / 352 |
40.2% |
学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 110 / 140 |
21.8% |
按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 238 / 354 |
32.91% |
学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q3 | 94 / 140 |
33.21% |
名词解释:
WOS即Web of Science,是全球获取学术信息的重要数据库,Web of Science包括自然科学、社会科学、艺术与人文领域的信息,来自全世界近9,000种最负盛名的高影响力研究期刊及12,000多种学术会议多学科内容。给期刊分区时会按照某一个学科领域划分,根据这一学科所有按照影响因子数值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影响因子值高的就会在高分区中,最后的划分结果分别是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表质量最高。
CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||||||||||||||
4 | 0.39 | 0.854 |
|
名词解释:
CiteScore:衡量期刊所发表文献的平均受引用次数。
SJR:SCImago 期刊等级衡量经过加权后的期刊受引用次数。引用次数的加权值由施引期刊的学科领域和声望 (SJR) 决定。
SNIP:每篇文章中来源出版物的标准化影响将实际受引用情况对照期刊所属学科领域中预期的受引用情况进行衡量。
是否OA开放访问: | h-index: | 年文章数: |
未开放 | 59 | 293 |
Gold OA文章占比: | 2021-2022最新影响因子(数据来源于搜索引擎): | 开源占比(OA被引用占比): |
2.61% | 1.9 | 0.01... |
研究类文章占比:文章 ÷(文章 + 综述) | 期刊收录: | 中科院《国际期刊预警名单(试行)》名单: |
99.32% | SCIE | 否 |
历年IF值(影响因子):
历年引文指标和发文量:
历年中科院JCR大类分区数据:
历年自引数据:
近年引用统计:
期刊名称 | 数量 |
IEEE J SOLID-ST CIRC | 377 |
MICROELECTRON J | 225 |
IEEE T CIRCUITS-I | 195 |
IEEE T ELECTRON DEV | 156 |
IEEE T CIRCUITS-II | 127 |
AEU-INT J ELECTRON C | 117 |
IEEE T VLSI SYST | 107 |
ELECTRON LETT | 95 |
IEEE T MICROW THEORY | 88 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 80 |
近年被引用统计:
期刊名称 | 数量 |
MICROELECTRON J | 225 |
AEU-INT J ELECTRON C | 129 |
ANALOG INTEGR CIRC S | 105 |
J CIRCUIT SYST COMP | 85 |
IEEE ACCESS | 72 |
CIRC SYST SIGNAL PR | 53 |
INT J THEOR PHYS | 44 |
IET CIRC DEVICE SYST | 43 |
SENSORS-BASEL | 43 |
INTEGRATION | 41 |
近年文章引用统计:
文章名称 | 数量 |
Programmable multi-direction ful... | 13 |
Performance improvement of nano ... | 12 |
A survey of single and multi-com... | 12 |
Classical and fractional-order m... | 9 |
Wearable technologies for hand j... | 9 |
Electronically reconfigurable tw... | 8 |
Fractional-order band-pass filte... | 7 |
Entanglement and physical attrib... | 7 |
Multi stage OTA design: From mat... | 7 |
Memristor-CNTFET based ternary l... | 7 |
同小类学科的其他优质期刊 | 影响因子 | 中科院分区 |
International Journal Of Ventilation | 1.1 | 4区 |
Journal Of Environmental Chemical Engineering | 7.4 | 2区 |
Journal Of Energy Storage | 8.9 | 2区 |
Complexity | 1.7 | 4区 |
Chemical Engineering Journal | 13.3 | 1区 |
International Journal Of Hydrogen Energy | 8.1 | 2区 |
Electronics | 2.6 | 3区 |
Aerospace | 2.1 | 3区 |
Buildings | 3.1 | 3区 |
Shock Waves | 1.7 | 4区 |
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