《Ieee Transactions On Electron Devices》杂志的收稿范围和要求是什么？
来源：优发表网整理 2024-09-18 10:50:45 630人看过
《Ieee Transactions On Electron Devices》杂志收稿范围涵盖工程技术全领域，此刊是该细分领域中属于非常不错的SCI期刊，在行业细分领域中学术影响力较大，专业度认可很高，所以对原创文章要求创新性较高，如果您的文章质量很高，可以尝试。
平均审稿速度 约4.7个月 ，影响因子指数2.9。
该期刊近期没有被列入国际期刊预警名单，广大学者值得一试。
具体收稿要求需联系杂志社或者咨询本站客服，在线客服团队会及时为您答疑解惑，提供针对性的建议和解决方案。
出版商联系方式：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141
其他数据
| 是否OA开放访问： |
h-index： |
年文章数： |
| 未开放 |
165 |
1084 |
| Gold OA文章占比： |
2021-2022最新影响因子（数据来源于搜索引擎）: |
开源占比（OA被引用占比）： |
| 6.38% |
2.9 |
0.06...
|
| 研究类文章占比：文章 ÷（文章 + 综述） |
期刊收录： |
中科院《国际期刊预警名单（试行）》名单： |
| 100.00% |
SCIE |
否 |
历年IF值(影响因子)：
历年引文指标和发文量：
历年中科院JCR大类分区数据：
历年自引数据：
发文统计
2023-2024国家/地区发文量统计：
| 国家/地区 |
数量 |
| CHINA MAINLAND |
741 |
| USA |
455 |
| India |
399 |
| Taiwan |
232 |
| South Korea |
181 |
| GERMANY (FED REP GER) |
149 |
| Japan |
123 |
| Italy |
111 |
| France |
110 |
| England |
100 |
2023-2024机构发文量统计：
| 机构 |
数量 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... |
239 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE... |
123 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES |
92 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... |
81 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM |
76 |
| IMEC |
74 |
| PEKING UNIVERSITY |
66 |
| XIDIAN UNIVERSITY |
58 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE ... |
57 |
| NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY |
50 |
近年引用统计：
| 期刊名称 |
数量 |
| IEEE T ELECTRON DEV |
3214 |
| IEEE ELECTR DEVICE L |
1587 |
| APPL PHYS LETT |
1366 |
| J APPL PHYS |
866 |
| SOLID STATE ELECTRON |
384 |
| PHYS REV B |
305 |
| ADV MATER |
238 |
| MICROELECTRON RELIAB |
235 |
| NANO LETT |
209 |
| ACS APPL MATER INTER |
195 |
近年被引用统计：
| 期刊名称 |
数量 |
| IEEE T ELECTRON DEV |
3214 |
| IEEE ELECTR DEVICE L |
865 |
| JPN J APPL PHYS |
565 |
| IEEE J ELECTRON DEVI |
499 |
| SOLID STATE ELECTRON |
431 |
| IEEE ACCESS |
422 |
| SEMICOND SCI TECH |
412 |
| J APPL PHYS |
400 |
| APPL PHYS LETT |
388 |
| J COMPUT ELECTRON |
284 |
近年文章引用统计：
| 文章名称 |
数量 |
| Fully Inkjet-Printed Photodetect... |
42 |
| Effects of Postannealing on the ... |
37 |
| Critical Role of Interlayer in H... |
28 |
| Demonstration of Constant 8 W/mm... |
27 |
| Ferroelectric FETs With 20-nm-Th... |
22 |
| 2-D Layered Materials for Next-G... |
20 |
| High Endurance Ferroelectric Haf... |
20 |
| BTI Analysis Tool-Modeling of NB... |
20 |
| Improved Switching Stability and... |
18 |
| Design and Investigation of Char... |
17 |
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