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Ieee Journal Of Solid-state Circuits

  • ISSN:0018-9200
  • ESSN:1558-173X
  • 国际标准简称:IEEE J SOLID-ST CIRC
  • 出版地区:UNITED STATES
  • 出版周期:Monthly
  • 研究方向:工程技术 - 工程:电子与电气
  • 出版年份:1966
  • 语言:English
  • 是否OA:未开放
  • 学科领域

    工程技术
  • 中科院分区

    1区
  • JCR分区

    Q1
  • IF影响因子

    4.6
  • 是否预警

期刊简介

Journal Title:Ieee Journal Of Solid-state Circuits

The IEEE Journal of Solid-State Circuits publishes papers each month in the broad area of solid-state circuits with particular emphasis on transistor-level design of integrated circuits. It also provides coverage of topics such as circuits modeling, technology, systems design, layout, and testing that relate directly to IC design. Integrated circuits and VLSI are of principal interest; material related to discrete circuit design is seldom published. Experimental verification is strongly encouraged.

中文简介

《IEEE 固态电路杂志》每月都会发表固态电路领域的论文,特别强调集成电路的晶体管级设计。它还涵盖与 IC 设计直接相关的电路建模、技术、系统设计、布局和测试等主题。集成电路和 VLSI 是主要关注点;与分立电路设计相关的材料很少发表。强烈鼓励进行实验验证。

期刊点评

Ieee Journal Of Solid-state Circuits创刊于1966年,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版,收稿方向涵盖工程技术 - 工程:电子与电气全领域,在行业领域中学术影响力很大,属于TOP期刊,国际一流期刊,关注度和专业度非常高,所以对原创文章要求创新性很高,过审难度很高,如果您有志于TOP期刊,建议关注此刊。平均审稿速度 一般,3-6周 ,影响因子指数4.6,该期刊近期没有被列入国际期刊预警名单,广大学者值得一试。

中科院分区(数据版本:2023年12月升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 1区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 1区

名词解释:
中科院分区也叫中科院JCR分区,基础版分为13个大类学科,然后按照各类期刊影响因子分别将每个类别分为四个区,影响因子5%为1区,6%-20%为2区,21%-50%为3区,其余为4区。

中科院分区(数据版本:2022年12月升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 1区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 1区

中科院分区(数据版本:2021年12月旧的升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 1区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 1区

中科院分区(数据版本:2021年12月基础版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区

中科院分区(数据版本:2021年12月升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 1区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 1区

中科院分区(数据版本:2020年12月旧的升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 1区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 1区

WOS分区(数据版本:2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 74 / 352

79.1%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 66 / 354

81.5%

名词解释:
WOS即Web of Science,是全球获取学术信息的重要数据库,Web of Science包括自然科学、社会科学、艺术与人文领域的信息,来自全世界近9,000种最负盛名的高影响力研究期刊及12,000多种学术会议多学科内容。给期刊分区时会按照某一个学科领域划分,根据这一学科所有按照影响因子数值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影响因子值高的就会在高分区中,最后的划分结果分别是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表质量最高。

CiteScore分区(数据版本:2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore排名
11 2.876 2.612
学科 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q1 78 / 797

90%

名词解释:
CiteScore:衡量期刊所发表文献的平均受引用次数。
SJR:SCImago 期刊等级衡量经过加权后的期刊受引用次数。引用次数的加权值由施引期刊的学科领域和声望 (SJR) 决定。
SNIP:每篇文章中来源出版物的标准化影响将实际受引用情况对照期刊所属学科领域中预期的受引用情况进行衡量。

其他数据

是否OA开放访问: h-index: 年文章数:
未开放 197 304
Gold OA文章占比: 2021-2022最新影响因子(数据来源于搜索引擎): 开源占比(OA被引用占比):
13.89% 4.6 0.13...
研究类文章占比:文章 ÷(文章 + 综述) 期刊收录: 中科院《国际期刊预警名单(试行)》名单:
100.00% SCIE

历年IF值(影响因子):

历年引文指标和发文量:

历年中科院JCR大类分区数据:

历年自引数据:

发文统计

2023-2024国家/地区发文量统计:

国家/地区 数量
USA 450
CHINA MAINLAND 119
South Korea 114
Japan 72
Netherlands 57
Taiwan 57
Belgium 50
GERMANY (FED REP GER) 40
Canada 30
Italy 29

2023-2024机构发文量统计:

机构 数量
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM 100
INTEL CORPORATION 49
DELFT UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 34
KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIE... 34
SAMSUNG 34
UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM 33
UNIVERSITY SYSTEM OF GEORGIA 32
BROADCOM 30
UNIVERSITY OF MICHIGAN SYSTEM 30
UNIVERSITY OF MACAU 29

近年引用统计:

期刊名称 数量
IEEE J SOLID-ST CIRC 2558
IEEE T CIRCUITS-I 330
IEEE T MICROW THEORY 245
IEEE T CIRCUITS-II 127
IEEE T POWER ELECTR 89
P IEEE 78
IEEE T BIOMED CIRC S 67
IEEE T VLSI SYST 56
IEEE T ELECTRON DEV 49
ELECTRON LETT 46

近年被引用统计:

期刊名称 数量
IEEE J SOLID-ST CIRC 2558
IEEE T CIRCUITS-I 1534
IEEE ACCESS 670
IEEE T CIRCUITS-II 623
IEEE T VLSI SYST 610
IEEE T MICROW THEORY 565
ANALOG INTEGR CIRC S 538
ELECTRONICS-SWITZ 506
IEICE ELECTRON EXPR 422
IEEE T BIOMED CIRC S 418

近年文章引用统计:

文章名称 数量
A Low-Cost Scalable 32-Element 2... 52
Cryo-CMOS Circuits and Systems f... 29
A 28-GHz CMOS Direct Conversion ... 29
A Monolithically Integrated Larg... 25
A Multi-Functional In-Memory Inf... 24
A High Energy Efficient Reconfig... 23
An Always-On 3.8 mu J/86% CIFAR-... 19
A Wideband Class-AB Power Amplif... 19
A 28-/37-/39-GHz Linear Doherty ... 18
An Analog-Assisted Tri-Loop Digi... 18

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