摘要：本文以4,4’-二氨基二苯醚、均苯四甲酸二酐为原料,制备聚酰亚胺(Polyimide,PI)薄膜。并将其与笼型倍半硅氧烷(Polyhedral oligomeric silsesquioxane,POSS),通过原位分散聚合法制备了具有低介电常数POSS/PI复合薄膜。研究了POSS填充量对POSS/PI复合材料介电、热稳定性及力学性能的影响。结果表明:掺入POSS的含量为0.5wt%时,POSS/PI复合材料的介电常数与介电损耗明显降低,热分解温度变化不大,拉伸强度略有降低。