W波段InP DHBT宽带高功率压控振荡器
作者： 中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心; 北京100029; 中国科学院大学电子电气与通信工程学院; 北京100049
摘要：成功实现了一款具有高输出功率和宽频率调谐范围的基波压控振荡器.其制作工艺为0.8μm InP DHBT工艺,晶体管的最大fT和fmax分别为170和250 GHz.电路核心部分采用了为高频应用改进的平衡式考毕兹拓扑,在后面添加一级缓冲放大器来抑制负载牵引效应,并提升了输出功率.DHBT的反偏CB结作为变容二极管来实现频率调谐.芯片测试结果表明,压控振荡器的频率调谐范围为81~97.3GHz,相对带宽为18.3%.在调谐频率范围内最大输出功率为10.2dBm,输出功率起伏在3.5dB以内.在该压控振荡器的最大调谐频率97.3GHz处相位噪声为-88dBc/Hz@1MHz.
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