电极/表面接触与SrTiO3陶瓷片介电性能的关系
作者： 湖北大学物理与电子科学学院; 湖北武汉430062; 贵州振华电子信息产业技术研究有限公司; 贵州贵阳550018
摘要：理论上,SrTiO3(以下简称STO)晶界层电容器介电常数取决于陶瓷片的晶粒大小、导电性、晶界绝缘层的厚度和介电常数.但对实际的STO晶界层陶瓷电容器研究发现,金属电极与STO陶瓷片的表面接触对电容器的电容和介电常数也有很大影响.研究表明,当电极/STO为非欧姆接触时,STO陶瓷片的电容和介电常数较小;当电极/STO为欧姆接触时,STO陶瓷片电容器的电容和介电常数增大.采用Ag浆制作电极时,通过调整烧制Ag电极的温度和时间,当T=880℃,t=3.5h时,STO电容器的介电性能达到最佳,εr=22850,tgδ=1.0%.
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