摘要：基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款工作在5.15~5.85GHz的用于802.11ac系统的高集成射频前端芯片。芯片集成低噪声放大器、开关、功率放大器以及电源管理电路、功能控制电路、静电放电(Electro-static discharge,ESD)保护电路。芯片面积为1.56mm×1.56mm,封装采用尺寸为2.5mm×2.5mm×0.5mm的16管脚QFN封装形式。芯片电源电压为5V,控制电压为3.3V。测试结果表明,发射通路的直流电流为120mA,增益为29dB,输出P-1为27dBm,当输出功率为18dBm时误差向量幅度为-34dB;接收通路的直流电流为6mA,增益为12.5dB,噪声系数为2.4dB,输出P-1为10dBm。同时,芯片集成功率检测功能可用于实现发射系统的动态增益控制。ESD测试结果显示,各端口的ESD保护能力大于1500V(HBM模式)。