摘要：本文采用主客体交错结构的发光层,即发光层是由多组主体材料CBP和客体材料Ir(piq)2(acac)异质结堆叠构成的。为了改善器件的性能,分别优化了单主体层和单客体层的厚度。研究表明,单主体层厚度为3~4 nm,单客体层厚度为0.3 nm时,器件能够获得的最大电流效率为3.92 cd/A,色纯度和发光稳定性俱佳,1 mA工作电流下的CIE色坐标为(0.669 5,0.308 5),当工作电流从0.1 mA变化到1 mA,色度坐标的变化值(Δ(x,y))仅为(0.004 2,0.002 0)。所采用的主客体交错发光层的制备方法,工艺简单,且因为能分别调整主客体层的厚度而改善因客体分子聚集或因长程偶极子间相互作用对发光效率的影响,为非掺杂磷光有机发光二极管的制备提供了思路。