摘要：在研究高压大功率绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片电气物理模型的基础上,对现有研究成果中模型使用的非准静态建模方法进行了总结、分析、对比和分类。大功率IGBT半导体芯片具有承受高电压的低掺杂宽基区,该区域的非准静态表征一直以来都是IGBT模块物理建模的重难点。已有国内外研究人员针对该问题提出大量不同建模方法,但是缺乏对这些方法之间的区别、联系和优缺点等系统科学地归纳和总结。为此根据建模原理揭示了现有IGBT芯片物理模型漂移区非准静态建模方法的区别和联系,将其归纳为形函数模型、空间变换模型、时间变换模型以及集总电荷模型。首先,按照上述模型分类分析了每类建模方法所采用的数学原理。其次,基于模型求解方式的不同,对各类建模方法的优势和局限性进行了对比和讨论。研究内容和结果为IGBT芯片内部宽基区物理模型的准静态建模方法的研究和选取提供了理论指导。