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一种高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器

作者:周万礼; 章玉飞; 路统霄; 胡怀志; 甄少伟; 张有润; 张波 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 成都610054

摘要:光电探测器是激光雷达的核心器件,通常由雪崩光电二极管(APD)阵列和相应的读出电路组成。跨阻放大器是读出电路的关键部分,其性能在很大程度上决定光电探测组件的性能。基于0.18μmCMOS工艺,针对大输入电容线性APD阵列的应用,设计了一种高增益、高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器。基于无源反馈和有源前馈的补偿方式拓展了跨阻放大器带宽,同时实现了高增益和高带宽;设计了具有高电源抑制比的片上无电容低压差稳压器,提高了跨阻放大器的稳定性。仿真结果表明:跨阻增益为104.7dB·Ω,带宽为198.8MHz,等效输入噪声电流为3.65pA·Hz1/2,低频电源抑制比为-57.8dB,全带宽范围内电源抑制比低于-10.6dB。

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