电弧离子镀/磁控溅射复合真空退火制备Ti2AlC涂层
作者： 三束材料改性教育部重点实验室; 大连理工大学材料科学与工程学院; 辽宁大连116024; 反应堆燃料及材料重点实验室; 中国核动力研究设计院; 四川成都610200
摘要：采用自主研发的大弧源技术,复合中频磁控溅射石墨靶,避免H元素的引入,在锆合金表面快速沉积了致密、超厚(约20μm)的Ti-Al-C涂层.经过不同温度(550、650、750和850℃)和时间(1、2和3 h)的真空退火后发现,至少在650℃才能获得Ti2AlC结构,更高的温度会加速Ti2AlC的生成.高温沉积对制备Ti2AlC相涂层而言是必备的.
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