摘要：新型二维半导体材料黑磷(磷烯)因具有优异的光电和输运特性而受到广泛关注,并激发了学者们对VA族类似材料,如砷烯(α-砷烯和β-砷烯)、锑烯和铋烯的研究兴趣。作为重要的半导体材料,高纯砷一直备受关注。近几年来,关于砷烯理论研究的报道越来越多,实验研究也取得了一定进展。本文着重从应变、电场、元素掺杂、取代、官能团化、纳米带裁剪、异质结、器件模拟等方面介绍了与砷烯相关的理论研究工作最新进展,总结了对应情况下砷烯能带结构、光学性质、磁性、拓扑绝缘态、光催化、输运性质和器件性能等特点。介绍了当前几个研究小组对灰砷(β-砷烯)和本课题组对黑砷(α-砷烯)的相关实验研究情况。最后对该材料体系的发展趋势进行了展望。