摘要：日本富士通研究所近期报道了在金刚石热控制的基础上,适用于碳化硅(SiC)上~3GHz InAlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)[Toshihiro Ohki et al,IEEE Electron Device Letters,published online 5December 2018]。其中热管理是实现更高功率密度的关键步骤。金刚石是一种具有非常高导热性的材料。