摘要：日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出最新第四代600VE系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600VE系列MOSFET低27%,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案,同时,栅极电荷下降60%。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内最低水平,该参数是600V MOSFET在功率转换应用中的关键指标(FOM)。